Egy francia-német-portugál kutatócsapat ezt a technológiát fejlesztette tovább úgy, hogy a mágneses mező használatát a cellák rövid ideig tartó felmelegítésével is kombinálják; ezek a hőre érzékeny eszközök a thermally assisted magnetic random access memory (TAM-RAM) nevet viselik. A melegítést – mint a működéshez alapvetően szükséges folyamatot – igénylő memóriák új távlatokat nyithatnak a számítástechnikában.
Az M-RAM-ok, vagyis a mágnesezettséggel dolgozó memóriacsipek fejlesztésével sok cég kísérletezik, eddig mégis csak egy, az amerikai Freescale dobott piacra ilyen terméket. A tavaly nyáron megjelent 4 megabites M-RAM csip nagy előnye, hogy például a számítógép kikapcsolása után sem veszíti el a tárolt információt; ennyiben hasonlít a flash memóriákhoz vagy a merevlemezekhez, ám azoknál jóval gyorsabb az írási és olvasási sebessége. Így a használatára épülő PC-vel a munkát a kapcsoló lenyomása után, pillanatok elteltével ott lehet folytatni, ahol a felhasználó abbahagyta – erre a megszokott hibernálási funkcióval ma még 10-20 másodpercet kell várni.
A TAM-RAM, vagyis a hőérzékeny memória azonban a fejlesztők szerint még ennél is többre képes. „Ezek a csipek a kialakításuknak köszönhetően még kisebbek, így azonos felületen nagyobb kapacitást nyújtanak a többi mágneses elven működő memóriánál” – vázolta fel az előnyöket a Figyelőnek Bernard Dieny, a projektben részt vevő francia Spintec cég helyettes vezetője. A grenoble-i székhelyű vállalat memóriacelláiban az új írási folyamat során a mágneses impulzus mellett rövid áramimpulzussal mindig fel is melegítik a memóriacellát. A megemelt hőmérsékleten pedig a mágneses irány könnyebben változtatható. A technológia azt is elérhetővé teszi, hogy a memóriacellák méretét tovább csökkentsék – még inkább fokozva a hatékonyságot. A TAM-RAM-ok tömeggyártását 3 éven belül tervezik a fejlesztők.
