Kínai kutatók olyan új gyártási eljárást fejlesztettek ki, amellyel elképesztő mértékben csökkenthető az elektronikai eszközökben használt tranzisztorok vastagsága. A Nature-ben megjelent tanulmányuk szerint legújabb, alig három atom vastagságú félvezetőjüket egy átmenetifém-dikalkogenid (TMD) nevű kísérleti anyagból készítették.
A tudósok hatalmas lehetőséget látnak ebben az anyagban, mert elképesztően vékony, akár néhány atom vastagságú film is készíthető belőle, és olyan tulajdonságokkal rendelkezik, amelyek kiválóan alkalmassá teszik a napelemek, szenzorok és félvezetők gyártására. Nem véletlen, hogy a fizikusok és az elektronikai gyártók szakemberei évek óta kísérleteznek a TMD-vel – de mindeddig nem tudtak olyan technológiával előrukkolni, amely lehetővé tette volna, hogy a csodaanyagot az ipari termelésben is hasznosítani tudják.
A The Verge szerint Saien Xie és munkatársainak kutatásai új reményt adhatnak azoknak, akik azt remélik, hogy egy nap atomi vastagságú szenzorokat és áramköröket építhetünk majd az eszközeinkbe. „A munkánknak köszönhetően a TMD végre technológiai szempontból is hasznosíthatóvá válhat hangsúlyozta Xie. – Elméletben nincs akadálya annak, hogy rövidesen akár kereskedelmi forgalomba kerülhessenek [ezek a tranzisztorok].”
Xie-ék kutatási eredményei komoly áttörést jelenthetnek a félvezetők gyártásában. Szakértők szerint szilíciumból már nem lehet sokkal vékonyabb lapkákat gyártani; márpedig ha folytatni szeretnénk a miniatürizálást, szükségünk lesz egy olyan anyagra, amelyből még kompaktabb áramkörök építhetők. Egyelőre még nehéz megjósolni, hogy a TMD és a grafén valóban jók lesznek-e erre a célra, de a legújabb kutatások reménykeltőnek tűnnek.
Szakemberek szerint az ilyen „kétdimenziós anyagok” felhasználásával idővel akár papírvékony eszközöket is gyárthatunk majd, de arra is alkalmasak lehetnek, hogy megsokszorozzuk számítástechnikai berendezéseink teljesítményét.
