Az eszköz 1,2V-on egyelőre másodpercenkénti 2,13 gigabites sávszélességet képes elérni, de a Samsung előrejelzése szerint az új DRAM eszközök végül ennek a duplájára is képesek lesznek.
Összehasonlításképp az 1,35 és 1,5 volton futó DDR3-as DRAM eszközök 30nm-es veriziói ennek a sebességnek cirka másfélszeresére voltak csak képesek.
Az energiaigény csökkentése és a sebesség növelése nyilvánvalóan elsősorban a hordozható készülékek gyártóinak és felhasználóinak kedveznek, ahol az akkumulátor működési ideje kritikus szempont lehet.
AJÁNLOTT LINKEK:
További részletek és a Samsung sajtóközleménye – angolul (Engadget)
