A Samsung a nagy rivális Intelt megelőzve bemutatta a világ első 10 nanométeres csíkszélességű FinFET technológiáját, melyet a későbbiekben várhatóan követ majd a gyártó első hasonló gyártási technológiával készülő Exynos mobil chipkészlete is.
A minden korábbinál alacsonyabb fogyasztással és kiváló teljesítménnyel rendelkező 10 nanométeres chipek a Samsung közlése szerint nemcsak okostelefonokban és tabletekben, hanem adatközpontokban, okosórákban és Internet of Things készülékekben is fel fognak bukkanni. Az Intel várhatóan 2016-ban jön majd ki első 10 nanométeres chipjeivel.
A jelenleg forgalomban lévő Samsung okostelefonokban a cég 20 nanométeres csíkszélességű nyolcmagos Exynos chipsete rejtőzik, melyet hamarosan fel fog váltani a várakozások szerint a Galaxy S6-ban debütáló első 14 nanométeres Exynos megoldás. Összehasonlításképp, a Qualcomm-féle négymagos Snapdragon 805 még 28 nanométeres gyártási technológiával készül, a nyolcmagos vadonatúj Snapdragon 810 pedig 20 nanométeres csíkszélességgel rendelkezik. Az Apple érkezőben lévő A9-es chipsete 14 nanométeres csíkszélességű lesz, és nem mellékesen a Samsung fogja gyártani.
